고전력 디바이스를
위한 고성능 성장 솔루션

단결정 실리콘 잉곳을 절단 장비를 이용하여 적절한 두께의 실리콘 웨이퍼로 절단한다.
중신징위안(Zhongxin Wafer)은 첨단 와이어 절단 장비와 공정을 적용하여, 휨(Warp), 굽힘(Bow) 및 총 두께 변화(TTV)가 작은 고품질 실리콘 웨이퍼를 생산할 수 있다.

웨이퍼 가장자리 모따기 공정은 웨이퍼의 가장자리를 매끄럽게 가공하는 기계적 공정으로, 실리콘 웨이퍼의 가장자리를 원호(라운드) 형태로 보정함으로써 기계적 강도를 향상시키고 응력 집중으로 인해 발생하는 웨이퍼 결함을 감소시킨다.

연마 공정은 전통적인 연마재 연삭 방식으로, 절단 공정 후 잔존하는 표면 손상을 제거하고 실리콘 웨이퍼의 총 평탄도와 휨 특성을 개선하는 것을 목적으로 한다.

실리콘 웨이퍼는 절단 및 연마 공정 이후 가공 응력으로 인해 표면에 손상층이 형성되며, 부식 공정은 혼산을 이용해 웨이퍼를 에칭하여 표면 손상층을 제거함으로써, 웨이퍼 전체가 고품질의 단결정 특성을 유지하도록 한다.

**상압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)**은 상압 조건에서 수행되는 화학 기상 증착 공정으로, 주로 웨이퍼 후면에 균일한 SiO₂ 박막을 형성하는 데 사용된다. 이를 통해 고온 상태에서 웨이퍼 내부의 불순물 이온이 격자로부터 확산·유출되어 오염을 형성하는 것을 방지하며, 후면 봉지(back seal) 역할을 한다.

**저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)**은 27~270Pa의 반응 압력 조건에서 수행되는 화학 기상 증착 공정으로, 주로 웨이퍼 표면에 다결정 실리콘 박막을 형성하여 불순물을 흡착(gettering)하는 역할을 한다.

N₂ 분위기에서 웨이퍼를 일정 온도까지 가열한 후 일정 시간 유지하고, 이후 급속 냉각하는 공정이다. 이 공정의 목적은 산소 공여체(Oxygen Donor)의 효과를 제거하는 데 있다.

실리콘 웨이퍼를 Ar 분위기에서 고온 열처리함으로써 표면에 클린 존(clean zone)을 형성하여, 실리콘 웨이퍼의 전기적 특성을 향상시킨다.

출하용 웨이퍼 캐리어 외부에 PE 및 알루미늄 포일 백을 추가로 포장하여, 캐리어 내에 보관된 실리콘 웨이퍼가 방진·안전·건조한 환경에서 보관되도록 한다.

포장 전, 실리콘 웨이퍼는 최종 검사를 거친다. 암실에서 보조 광원을 사용하여 육안 검사 방식으로 웨이퍼 표면 결함을 확인하며, 정밀 측정 장비인 SP1을 통해 웨이퍼 표면의 미세 파티클 및 COP를 관리하여 제품 규격을 만족하도록 한다.

평탄도 및 비저항 측정기는 연마 및 세정이 완료된 실리콘 웨이퍼를 검사하여, 연마 후 웨이퍼의 두께, 평탄도, 국부 평탄도, 굽힘(Bow), 휨(Warp), 비저항 등이 고객 요구 사항에 부합하는지를 확인한다.

세정 공정의 목적은 연마 후 실리콘 웨이퍼 표면에 잔존하는 유기물, 파티클, 금속 등을 제거하여 표면의 청정도를 확보하고, 후공정 품질 요구 사항을 충족시키는 데 있다.

폴리싱 공정은 폴리싱 슬러리와 폴리싱 패드를 사용하고, 적절한 온도·압력·회전 속도를 적용하여 전 공정에서 남은 기계적 손상층을 제거한다. 이를 통해 실리콘 웨이퍼 표면 거칠기를 개선하고 우수한 표면 평탄도를 확보함으로써, 고객의 노광 공정에서 발생할 수 있는 포커싱 문제를 방지한다.