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고전력 디바이스를
위한 고성능 성장 솔루션

기술의 출발점은 언제나 기초에서 결정됩니다.
화려하지 않아도, 산업을 움직이는 기반.

이 한 조각이, 수많은 기술의 시작이 됩니다.
기술은 여기서 태어나, 세상으로 나아갑니다.

폴리싱 웨이퍼
AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용
에피택셜 웨이퍼
전기차 IGBT, MOSFET, 산업용 파워 반도체, 서버 전력칩, PMIC, 자동차 ECU, 고신뢰성 반도체
SOI 웨이퍼
5G RF-SOI 칩, 초저전력 IoT
아르곤 어닐링 웨이퍼
고성능 AP·GPU 칩, 서버 AI칩, EV 파워반도체, 의료기기용 신호처리칩(MRI/CT), 산업·군사용 고신뢰성 반도체
SiC 에피택셜 웨이퍼
전기차 인버터, 초고속 EV 충전기, 태양광 인버터, 대형 모터제어, 항공·방산 파워모듈
실리콘 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼
GaN 고속 충전기, 5G RF PA, 데이터센터 전력모듈, 드론·로봇 전력변환, EV OBC(온보드 차저)
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웨이퍼 유형 선택

제품 사양

광택(POLISHED) 웨이퍼

지름

100mm / 125mm / 150mm /200mm

도핑

약하게 도핑됨 / 강하게 도핑됨

저항률 100mm / 125mm / 150mm
  • 약하게 도핑N형: 1-40
  • 약하게 도핑 P형: 1-100
  • 강하게 도핑N형: 0.0007-1
  • 강하게 도핑 P형: 0.001-1
200mm
  • 약하게 도핑N형: 1–40
  • 약하게 도핑 P형: 1–60
애플리케이션

AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용

에피택셜(EPI) 웨이퍼

지름

150mm / 200mm / 300mm

에피층 두께

1µm ~ 100µm

도핑

N형 / P형 (고저항·저저항 모두 가능)

저항률
  • N형: 0.001-100
  • P형: 0.001-50
  • 고전력용: 맞춤 저항률 제공
애플리케이션

전기차 IGBT, MOSFET, 산업용 파워 반도체, 서버 전력칩, PMIC, 자동차 ECU, 고신뢰성 반도체

애플리케이션

AP 칩, DRAM, Flash, MCU, PMIC, 센서집, 일반 IC, 로직 디바이스 등 광범위한 반도체 제조용

SOI 웨이퍼 (Silicon On Insulator)

지름

200mm / 300mm

구조

Device Si / BOX / Handle Si

도핑

경도핑 / 비도핑 대응

BOX 두께
  • 100nm ~ 3μm
Device Layer 두께
  • 20nm ~ µm
애플리케이션

5G RF-SOI 칩, 초저전력 IoT

아르곤 열처리(Argon Annealed) 웨이퍼

지름

150mm / 200mm /300mm

공정

고순도 Ar 환경 열처리

도핑

N형, P형 모두 가능

적용 스펙
  • 100nm ~ 3μm
저항률
  • 금속 오염 농도 최소화
  • 결함 밀도(Density) 개선
  • 고신뢰성 공정을 위한 표면 안정도 강화
애플리케이션

고성능 AP·GPU 칩, 서버 AI칩, EV 파워반도체, 의료기기용 신호처리칩(MRI/CT), 산업·군사용 고신뢰성 반도체

SiC 에피택셜 웨이퍼 (실리콘카바이드)

지름

100mm / 150mm

유형

4H-SiC

도핑

N형(전력 소자용), P형 일부 대응

적용 스펙
  • 100nm ~ 3μm
저항률
  • N형: 0.02-20
  • 에피층 두께: 2µm ~120μm
  • 표면거칠기: ≤0.5nm
애플리케이션

전기차 인버터, 초고속 EV 충전기, 태양광 인버터, 대형 모터제어, 항공·방산 파워모듈

Silicon 기반 GaN 에피택셜 웨이퍼 (GaN-on-Si)

지름

150mm / 200mm

구조

GaN / AlGaN / Buffer / Si

도핑

비도핑 / 경도핑

전기적 스펙
  • 2DEG 밀도: 0.8~1.2×1013cm²
  • Mobility: 1200~2000cm²/Vs
  • GaN 층: 1µm ~ 5µm
애플리케이션

GaN 고속 충전기, 5G RF PA, 데이터센터 전력모듈, 드론·로봇 전력변환, EV OBC(온보드 차저)

특징과 적용 분야

FZ

특징

  • 고전압
  • 고전류

응용 분야

  • 고전압 전력
  • 마이크로전자 소자
  • 주파수 변환기, 전압 조정기 등
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CZ

고농도 도핑

특징

  • 에너지
  • 고효율

응용 분야

  • 전력 스위칭 소자
  • 고주파 응용 소자
  • 광학 센서
  • 이미지 센서 등
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MCZ

경도핑

특징

  • 높은 저장 밀도
  • 고성능 컴퓨팅
  • 낮은 전력 소모

적용 분야

  • 메모리 칩
  • 아날로그 칩
  • 로직 칩 등
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GaN
SiC

3세대 반도체 소재

특징

  • 고온 내성
  • 방사선 내성
  • 고주파 특성
  • 높은 변환 효율

적용 분야

  • 고효율 고속 충전
  • 신에너지 차량용 구동 인버터
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